aluminium Nitride-keramiek hebben een reeks uitstekende eigenschappen zoals een uitstekende thermische geleidbaarheid, betrouwbare elektrische isolatie, lage diëlektrische constante en diëlektrische verlies,niet--toxiciteit en een thermische expansiecoëfficiënt die overeenkomt met silicium. Het is eennieuw type uitstekende uitgebreide prestaties. Keramische materialen worden beschouwd als ideale materialen voor eennieuwe generatie van zeer geïntegreerde halfgeleidersubstraten en elektronische apparatenverpakkingen. Aluminiumnitride (ALN) is een zeshoekig kristal en puur ALN is blauw-white, meestal grijs of uit-white.

De bereidingsmethode van aluminiumnitride keramiek is in principe gelijk aan het bereidingsproces van andere keramische materialen. Er zijn drie bereidingsprocessen: poedersynthese, het vormen en sinteren.

aluminiumnitridepoeder wordt gebruikt als grondstof voor de voorbereiding van definitieve keramische producten. De zuiverheid, deeltjesgrootte, zuurstofgehalte en inhoud van andere onzuiverheden heeft een belangrijke impact op de thermische geleidbaarheid, daaropvolgend sinterend en vormingsproces van de daaropvolgende producten. Of het eindproduct uitstekende prestaties heeft of geen hoeksteen. De synthesemethoden van aluminiumnitridepoeder zijn als volgt: directenitridatiemethode, carbothermale reductiemethode, zelf-propagerende synthesemethode van hoge temperatuur, chemische dampdepositiemethode

Here zijn vele vormprocessen voor aluminiumnitride poeder en traditionele vormprocessen zoals traditionele vormprocessen Gieten, heet dringen en isostatische persing zijn allemaal van toepassing. Vanwege de sterke hydrofiliciteit van aluminiumnitridepoeder, om de oxidatie van aluminiumnitride te verminderen, moet contact met water zoveel mogelijk worden vermeden tijdens het vormproces. Hoewel, hoewel hete drukkende en isostatische persing geschikt zijn voor het bereiden van hoog-performance bulk aluminiumnitride keramische materialen, hebben ze hoge kosten en lage productie-efficiëntie en kunnen zeniet voldoen aan de toenemende vraagnaar aluminiumnitride keramische substraten in de elektronica-industrie.